電光KERR效應(yīng)是一種存在于各種光纖介質(zhì)中的與電場強(qiáng)度二次方有關(guān)的電光效應(yīng)，其表達(dá)式為N=KE2。其公式中為介質(zhì)折射率的變化量，E為外加電場強(qiáng)度;K為與介質(zhì)及通光波長相關(guān)的常數(shù)。介質(zhì)中N的出現(xiàn)將引起通過其中的光波偏振態(tài)的變化，故檢測光波偏振態(tài)可獲偷偷的哭 被測電場。KERR效應(yīng)很弱，在無對稱中心的晶體中，一般KERR效應(yīng)較POCKELS效應(yīng)小幾個(gè)數(shù)量級，并且N與E也不是線性關(guān)系。
當(dāng)壓電晶體受到外加電場作用時(shí)，晶體除產(chǎn)生極化現(xiàn)象以外，同時(shí)形狀也產(chǎn)生微小變化，即產(chǎn)生應(yīng)變，這種現(xiàn)象稱為逆壓電效應(yīng)。若將逆壓電效應(yīng)引起的晶體形變轉(zhuǎn)化為光信號的調(diào)制并檢測光信號，則可用作電場或電壓的光纖光電開關(guān)傳感器。 |
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