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　　在航空航天中應用的磁通門磁強計的研制大都采用機械手段制備，激勵線圈和接收線圈采用機械繞線方式，磁芯則采用大塊的金屬磁性合金，且磁導率較低，接口電路與磁通門光電開關傳感元件分開制造，其結果是體積大、質量大、靈敏度低、長期穩定性差。20世紀九十年代以來，MEMS技術飛速發展，為磁通門磁強計的微系統研制提供了有交往可靠的途徑。

　　磁通門磁強計的微型化和接口電路的集成化是磁通門磁強計實現微型化的必然要求。采用MEMS技術和CMOS工藝，可將磁通門傳感器元件、界面控制電路集成在同一芯片上，即形成磁通門微磁強計系統。磁通門磁強計的兩種微磁通門結構形式。先通過微機械加工在硅片上記得出一個U形槽，然后在槽的上面形成金屬線圈的下半部分，在制備一層絕緣膜以后，再制備坡莫合金磁芯。在制備第二層絕緣膜之后，再制備金屬線圈的上半部分。線圈的上、下部分合在一起，就形成一個繞在坡莫合金磁芯外部的完整線圈。用同樣的方法也可制作結構但不需要開U形槽。